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工信部:持续推进芯片、器件及IGBT模块产业发展 -- 飞象网

据工信部网站消息,在当前复杂的国际形势下,工业半导体材料、芯片、器件及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的发展滞后将制约我国新旧动能转化及产业转型,进而...
www.cctime.com/html/2019-10-9/14761... 2019-10-9

ROHM全SiC功率模块的强大阵容有助于大功率应用的高效化与..._飞象网

搭载ROHM生产的SiC-SBD和SiC-MOSFET的全SiC功率模块,与普通的同等额定电流的IGBT模块相比,开关损耗降低64%(芯片温度150℃时)。因此,可降低应用的功率转...
www.cctime.com/html/2017-5-16/12882... 2017-5-16

Vrycul(维酷)液态金属产品能否解决IGBT器件散热难题?

新型材料,众所周知,IGBT器件以其输入阻值高、开关速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大等特点,已成为当今功率半导体器件发展的主流器件,广泛应用...
www.cctime.com/html/2015-4-29/201542... 2015-4-29

日益壮大的ROHM最新功率元器件产品阵容

另外,与同等额定电流的IGBT模块相比开关损耗降低了77%(图7)。通过替换原先的IGBT模块,因为可以大幅降低开关损耗,所以冷却结构的小型化也成为了可能。...
www.cctime.com/html/2015-6-26/201562... 2015-6-26

世界首家※!ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

与同等水平额定电流的Si-IGBT模块产品相比,其显著优势当然不必言说,即使与使用平面型SiC-MOSFET的“全SiC”模块相比,其开关损耗也降低了约42%。 <产品...
www.cctime.com/html/2015-6-25/201562... 2015-6-25

ROHM扩充“全SiC”功率模块产品阵容

与同等额定电流的IGBT模块相比,开关损耗降低了77%。将IGBT模块替换为本产品有望大幅降低开关损耗,进一步实现冷却机构的小型化。另外,通过更高频率的开关动...
www.cctime.com/html/2015-5-6/2015561... 2015-5-6

是德科技率先发布适合当代半导体功率器件开发的关键参数表征解决...

并且,工程师可以借助应用低压和高压设置的新方法测量栅极电荷曲线,从而精确表征 IGBT 模块等超高功率器件。 全新增强B1505A配有灵活的可升级硬件体系结构...
www.cctime.com/html/2015-4-22/201542... 2015-4-22

安森美半导体加入CharIN生态系统,共同开发电动汽车充电标..._飞象网

我们看到我们的IGBT模块和FET在电动汽车充电器系统设计中的应用增加。我们期望碳化硅、氮化镓等下一代半导体材料可提高电源管理应用的功率密度和能效。我们...
www.cctime.com/html/2018-1-9/13515... 2018-1-9

宏微科技:打破垄断 成功研发IGBT和FRED芯片--芯片 -- CCTIME飞象网

公司以设计研发生产和销售新一代电力电子分立器件及模块为主,提供高效节能...IGBT和FRED器件是电力电子装置和系统中的CPU,被国际电力电子行业公认为电力...
www.cctime.com/html/2012-3-5/2012351... 2012-3-5

十年深创赛诞生“世界冠军”、“孔雀团队”, 助力深圳产..._飞象网

从事电动汽车IGBT模块研发的依思普林,2014年11月参加了2014年深创赛的比赛,并获得了企业组优胜奖,获得了参加全国大赛决赛的机会。山东红桥投资公司负责人...
www.cctime.com/html/2018-8-15/14013... 2018-8-15