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超频技术之内存“时序”重要参数设置解说_内存_硬件教程_脚本之家
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数,即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为:tRP、RAS Precharge、Precharge to active),表示"内存行地址控制器预充电时间",预充电参数越小则内存读写速度就越快。 tRP用来设定在另一行能被激活之前,RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活...
www.jb51.net/hardware/nacun/131...html 2025-2-7